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聯電14奈米FinFET製程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28奈米增快55％，閘密度（Raw gate density）則達兩倍，此外，功耗亦較28奈米減少約50％。此14奈米客戶晶片現正於聯電位在台南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14奈米產能。聯電在台灣開始生產14奈米製程之後，按照聯電原先計畫，也將在大陸廈門的Fab 12X晶圓廠推進至28奈米製程。Fab 12X於去年11月舉行開幕典禮，晶圓生產製程為55奈米及40奈米，規劃如何跟銀行協商還款生產每月5萬片。聯電去年由於28奈米製程產能接單滿載，帶動業績向上成長，更使成熟製程在淡季產能下降的壓力。聯電今年可望持續受惠於Fab 12X支撐營收，加上新量產的14奈米製程挹注，今年營收有機會改寫新高。展望本季，聯電先前在法說會上預估，本季產能利用率仍可望高達90％的水準，晶圓出貨量微幅下滑1％首次購屋貸款2017，產品平均銷售單價將下滑約3％。法人表示，在廈門廠產能貢獻之下，可望持續支撐聯電淡季表現，因此推估本季營收可望季減1成以內，第2季業績逐漸回暖之後，在智慧手機等晶片需求帶動下，營收可望再度寫下單季歷史新高。(工商時報)

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